حداکثر میزان مقاومت در برابر شوک
1500G
رابط‌ها
PCI-Express 4.0 x4
سرعت انتقال اطلاعات
10 گیگابیت بر ثانیه
سرعت خواندن اطلاعات به صورت ترتیبی
Up to 7,450 MB/s
سرعت خواندن اطلاعات به صورت تصادفی
Up to 1,600,000 IOPS
سرعت نوشتن اطلاعات به صورت ترتیبی
Up to 6,900 MB/s
سرعت نوشتن اطلاعات به صورت تصادفی
Up to 1,550,000 IOPS
ظرفیت
چهار ترابایت
قابلیت‌های حافظه
پشتیبانی از TRIM
قابلیت‌های مقاومتی
مقاوم در برابر شوک
کنترل کننده
Samsung 2GB Low Power DDR4 SDRAM
مصرف برق
Average: 6.5 W
میانگین عمر
1.5 میلیون ساعت
نوع رابط حافظه
PCIe Gen 4.0 x4, NVMe 2.0
نوع فلش
TLC
وزن
10 گرم