1.500.000 ساعت
قابلیت پشتیبانی از TRIM : مزایا و معایب
تکنولوژی V-NAND
مدیریت بهینه انرژی
سرعت خواندن و نوشتن خارق العاده
تکنولوژی انحصاری و یکپارچه سامسونگ
سرعت نوشتن اطلاعات ترتیبی 530 مگابایت بر ثانیه
مقاومت در برابر ضربه
سیستم حفاظت دمایی
پایداری بالا و طول عمر تضمین شده
مقاومت در برابر لرزش
مقاومت در برابر شوک
میزان مقاومت شوک 1,500 G 0.5 ms Half sine
میانگین عمر - MTBF:
نوع رابط SATA 6 Gb/s
سرعت خواندن اطلاعات ترتیبی : 560 مگابایت بر ثانیه
نوع فلش Samsung V-NAND
ظرفیت : 1 ترابایت
وزن50 گرم
فرم فاکتور :2.5 اینچ