تکنولوژی تراشه حافظه
3D TLC V-NAND
حداکثر حجم قابل نوشتن
بیش از 600 ترابایت
حداکثر شوک قابل تحمل
1500G
حداکثر مصرف برق
کمتر از 10 وات
دمای قابل تحمل غیر کاری
40- تا 85 درجه سانتیگراد
دمای قابل تحمل کاری
0 تا 70 درجه سانتیگراد
رابط اتصالی
PCI-E 3.0 x4
سایر ویژگیها
پشتیبانی از رمزنگاری AES 256-Bit
سرعت خواندن تصادفی
500K IOPS
سرعت خواندن متوالی
3500 مگابایت بر ثانیه
سرعت نوشتن تصادفی
480K IOPS
سری محصول
980
سیستم کشینگ (Caching)
HMB Cache
کنترلر
Samsung Pablo