ابعاد
80 × 22 × 3 mm
حداکثر میزان مقاومت در برابر شوک
1500G/0.5ms
دمای ذخیره سازی
40- تا 85- درجه سانتیگراد
دمای عملیاتی
0 تا 70 درجه سانتیگراد
سرعت خواندن اطلاعات به صورت ترتیبی
1800MB/s
سرعت خواندن اطلاعات به صورت تصادفی
80K
سرعت خواندن اطلاعات ترتیبی
1800 مگابایت بر ثانیه
سرعت نوشتن اطلاعات به صورت ترتیبی
1200MB/s
سرعت نوشتن اطلاعات ترتیبی
1200 مگابایت بر ثانیه
قابلیت‌های مقاومتی
مقاوم در برابر لرزش
مزایا
• مقاوم در برابر شوک • سرعت خواندن بالا تا 1800MB/s • سرعت نوشتن اطلاعات تا 1200MB/s • بکارگیری 3D NAND Flash با قابلیت فراهم کردن چگالی نگهداری و قابلیت اطمینان بیشتر نسبت به 2D NAND
میانگین عمر
1800000 ساعت
میانگین عمر - MTBF
1.800.000 ساعت
وزن
0,10 kg